IRF7341TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRF7341 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5236 0,3170 0,2442 0,2196 0,2090
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD