IRF830

Symbol Micros: TIRF830
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF830 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
233 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9138 0,6038 0,4997 0,4650 0,4349
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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