IRF9530NPBF
Symbol Micros:
TIRF9530n
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 14A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530NPBF; IRF 9530N PBF; IRF9530N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9530NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
49475 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2969 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9530NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
17148 stk.
Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,3206 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9530NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2590 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,3662 |
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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