IRF9Z24PBF

Name: TIRF9Z24 TIRF9Z24
Brand: -
SKU: TIRF9Z24
Price: 0.3646 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF9Z24

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 280 mOhm; 11A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z24;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8389	0,5315	0,4194	0,3813	0,3646

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1850 stk.

Anzahl Stück	450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3646

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3646

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT