IRF9Z24N

Symbol Micros: TIRF9Z24n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 175 mOhm; 12A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z24NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6316 0,4004 0,3146 0,2860 0,2741
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5769 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2741
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1140 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2798
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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