IRFL014
Symbol Micros:
TIRFL014
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 200 mOhm; 2,7A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL014PBF; IRFL014TRPBF; IRFL014TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFL014TRPBF RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5833 | 0,3648 | 0,3044 | 0,2696 | 0,2533 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFL014TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2533 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFL014TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
4550 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2533 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFL014TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2533 |
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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