IRFP064NPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFP064n JSM
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Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP064PBF; IRFP064NPBF; SP001554926;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6402 1,1465 0,9429 0,9078 0,8634
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Standard-Verpackung:
30/60
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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