IRFP240 JSMICRO

Symbol Micros: TIRFP240 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 120 mOhm; 20A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP240PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRFP240 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2138 0,8456 0,7031 0,6722 0,6390
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Standard-Verpackung:
25/50
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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