IRFP260N

Symbol Micros: TIRFP260n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP260NPBF; IRFP260NTRPBF; IRFP260PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP260NPBF RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt
Auf Lager:
218 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 2,1845 1,7319 1,5461 1,5056 1,4556
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP260NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
4290 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4556
Standard-Verpackung:
400
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP260NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
1234 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4556
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP260NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
3424 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4556
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT