IRFP260N

Symbol Micros: TIRFP260n

Gehäuse: TO247AC

N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP260NPBF; IRFP260NTRPBF; IRFP260PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO247AC
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP260NPBF RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt

Auf Lager:

347 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	50+	250+
Nettopreis (EUR)	2,1540	1,7077	1,5245	1,4845	1,4352

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP260NPBF Gehäuse: TO247AC

Externes Lager:

12890 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4352

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP260NPBF Gehäuse: TO247AC

Externes Lager:

1974 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4352

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP260NPBF Gehäuse: TO247AC

Externes Lager:

1564 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4352

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO247AC
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,9003	1,5080	1,3366	1,2802	1,2661