IRFR3910TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRFR3910 JGS
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 125 mOhm; 12A; 34,7 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRFR3910PBF; IRFR3910TRLPBF; IRFR3910TRPBF; IRFR3910TRRPBF; SP001571594; SP001573318; SP001560674;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRFR3910TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4626 0,2804 0,2159 0,1946 0,1853
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD

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