IRFR5410 smd

Symbol Micros: TIRFR5410
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 205 mOhm; 13A; 66W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 205mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR5410 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
203 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 450+
Nettopreis (EUR) 1,1650 0,8160 0,6745 0,6273 0,6132
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
450
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
217000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6132
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
78000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6132
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
3900 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6132
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 205mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole