IRFR5505

Symbol Micros: TIRFR5505
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505PBF; IRFR5505TRLPBF; IRFR5505TRPBF; IRFR5505GTRPBF; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5505TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
1975 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7037 0,4465 0,3530 0,3203 0,3063
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole