IRFR5505TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRFR5505 HXY
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505PBF; IRFR5505TRLPBF; IRFR5505TRPBF; IRFR5505GTRPBF; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRFR5505TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5798 0,3226 0,2525 0,2385 0,2315
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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