IRFZ44N

Symbol Micros: TIRFZ44n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44NPBF; IRFZ 44 NPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
8713 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8493 0,5382 0,4258 0,3861 0,3697
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
11195 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3697
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3240 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3697
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT