IRFZ44PBF VISHAY

Symbol Micros: TIRFZ44pbf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFZ44 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5864 1,2657 1,0839 0,9738 0,9331
Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT