IRL540

Symbol Micros: TIRL540pbf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL540PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRL540 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1544 0,8085 0,6473 0,6286 0,6076
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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