IRLL110

Symbol Micros: TIRLL110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 760 mOhm; 1,5A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL110PBF; IRLL110TRPBF; IRLL110TRPBF-BE3

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLL110TRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6793 0,4260 0,3550 0,3148 0,2959
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLL110TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2959
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLL110TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
901 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2959
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRLL110TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
27500 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2959
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD