IRLML0030TR

Symbol Micros: TIRLML0030tr
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TRPBF; IRLML0030PBF; IRLML0030PBF-GURT; IRLML0030;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23t/r
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
49221 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2502 0,1323 0,1026 0,0947 0,0907
Standard-Verpackung:
3000/75000
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23t/r
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD