IRLML2803

Symbol Micros: TIRLML2803
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2803TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3217 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2734 0,1449 0,1124 0,1037 0,0993
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD