IRLR2905 smd

Symbol Micros: TIRLR2905
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 40mOhm; 42A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905PBF-GURT; IRLR2905TRLPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
866 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9352 0,6211 0,5156 0,4641 0,4453
Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: SMD