IRLR2905 smd

Symbol Micros: TIRLR2905

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 40mOhm; 42A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905PBF-GURT; IRLR2905TRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	42A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

766 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9356	0,6214	0,5159	0,4643	0,4455

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

7750 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4455

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

192000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4455

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4455

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	42A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4995	0,3025	0,2321	0,2094	0,1993

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4995	0,3001	0,2293	0,2064	0,1993

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4643	0,2814	0,2157	0,1946	0,1852