IRLR2905 smd

Symbol Micros: TIRLR2905

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 40mOhm; 42A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905PBF-GURT; IRLR2905TRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	42A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

766 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9284	0,6166	0,5119	0,4607	0,4421

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

252000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4421

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4421

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

8100 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4421

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	42A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4956	0,3002	0,2304	0,2078	0,1978

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4607	0,2792	0,2141	0,1931	0,1838