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IRLR3410

Symbol Micros: TIRLR3410

Gehäuse: TO252 (DPACK)

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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 155 mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	155mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR3410 RoHS IRLR3410TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt

Auf Lager:

126 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,8752	0,5548	0,4376	0,3922	0,3802

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-04-04

Anzahl Stück: 600

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	155mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5428	0,3276	0,2535	0,2277	0,2167

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5787	0,3635	0,3013	0,2678	0,2511

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5333	0,3228	0,2487	0,2236	0,2128

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5428	0,3300	0,2535	0,2284	0,2174

IRLR3410

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