IRLR3410TR UMW

Symbol Micros: TIRLR3410 UMW
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 155 mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 155mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
220 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5443 0,3285 0,2542 0,2283 0,2172
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 155mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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