IRLR8726TRPBF

Symbol Micros: TIRLR8726
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 86A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4789 0,2898 0,2229 0,2011 0,1913
Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
4650 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2103
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1913
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-04-30
Anzahl Stück: 10000
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 86A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD