IRLR8726TRPBF
Symbol Micros:
TIRLR8726
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
Max. Drainstrom: | 86A |
Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4688 | 0,2836 | 0,2182 | 0,1969 | 0,1873 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-11-30
Anzahl Stück: 4000
Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
Max. Drainstrom: | 86A |
Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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