MJD127

Symbol Micros: TMJD127
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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PNP 8A 100V 20W PNP 8A 100V 20W

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Parameter
Verlustleistung: 1,75W
Stromverstärkungsfaktor: 12000
Grenzfrequenz: 4MHz
Gehäuse: TO252
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: MJD127 RoHS Gehäuse: TO252  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,2829 0,1513 0,1178 0,1066 0,1029
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Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: MJD127 RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
1960 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,2829 0,1513 0,1178 0,1066 0,1029
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Standard-Verpackung:
2500
Verlustleistung: 1,75W
Stromverstärkungsfaktor: 12000
Grenzfrequenz: 4MHz
Gehäuse: TO252
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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