MMBT2907A JSMICRO

Symbol Micros: TMMBT2907a JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP-Transistor; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907A RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0737 0,0285 0,0139 0,0110 0,0105
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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