NTD5867N
Symbol Micros:
TNTD5867n c
Gehäuse: TO252
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 33mOhm |
Max. Drainstrom: | 20A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | TECH PUBLIC |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 33mOhm |
Max. Drainstrom: | 20A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | TECH PUBLIC |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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