SIHG20N50C-E3

Symbol Micros: TSIHG20n50c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Tranzystory z kanałem N THT

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SIHG20N50C-E3 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,4464 1,9371 1,7291 1,6824 1,6310
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25/50
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole