TSM2301CX
Symbol Micros:
TTSM2301cx
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET 2.8A 20V 0.9W 0.13Ω TSM2301CX(RF) has been changed to TSM2301CX(RFG)
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | TAI-SEM |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | TAI-SEM |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Montage: | SMD |
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