Bipolar transistor SS8050 WEJ 

Symbol Micros: TSS8050 WEJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 400; 300mW; 25V; 1,5A; 100MHz SOT23; WEJ;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: WEJ
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Hersteller: WEJ Hersteller-Teilenummer: SS8050 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0767 0,0295 0,0144 0,0115 0,0110
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Standard-Verpackung:
3000/15000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: WEJ
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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