STP100NF04

Symbol Micros: TSTP100NF04
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,6 mOhm; 120A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP100NF04$K;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,6mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP100NF04 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 1,2531
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP100NF04 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
850 stk.
Anzahl Stück 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 1,1622
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP100NF04 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1556 stk.
Anzahl Stück 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 1,2051
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,6mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT