STP9NM60N

Symbol Micros: TSTP9nm60n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220 MDmesh(TM) II Power MOSFET

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 745mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NM60N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
39 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2127 0,8902 0,7127 0,6122 0,5771
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 745mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Montage: THT

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