SUD50P04-08-GE3

Symbol Micros: TSUD50P04-08
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 11,7 mOhm; 50A; 73,5 W; -55 °C ~ 150 °C; SUD50P04-08-BE3

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11,7mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 73,5W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD50P04-08-GE3 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
32000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4815
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 11,7mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 73,5W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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