TSM2312CX RFG

Symbol Micros: TTSM2312cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 51mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2312CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5117 0,3108 0,2383 0,2150 0,2045
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 51mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Montage: SMD

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