TSM2312CX RFG

Name: TTSM2312cx TTSM2312cx
Brand: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
SKU: TTSM2312cx
Price: 0.2043 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TTSM2312cx

Gehäuse: SOT23-3

N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 51mOhm; 4,9A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2312CX-RFG; TSM2312CXRFG;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	51mOhm
Max. Drainstrom:	4,9A
Maximaler Leistungsverlust:	750mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2312CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5114	0,3106	0,2382	0,2148	0,2043

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2312CX Gehäuse: SOT23-3

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Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2312CX RFG Gehäuse: SOT23-3

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Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2043

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2312CX RFG Gehäuse: SOT23-3

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Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2043

Widerstand im offenen Kanal:	51mOhm
Max. Drainstrom:	4,9A
Maximaler Leistungsverlust:	750mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD