TSM2N7002KCX RFG
Symbol Micros:
TTSM2n7002kcx
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2N7002KCX RF; TSM2N7002KCXRFG;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2N7002KCX RFG RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2106 | 0,1161 | 0,0767 | 0,0641 | 0,0601 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2N7002KCX RFG
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
80700 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0671 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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