TSM2N7002KCX RFG

Symbol Micros: TTSM2n7002kcx

Gehäuse: SOT23-3

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2N7002KCX RF; TSM2N7002KCXRFG;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2N7002KCX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2103	0,1159	0,0767	0,0640	0,0601

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2N7002KCX RFG Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

32800 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0674

Widerstand im offenen Kanal:	4Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD