FM24CL04B-G

Wybrane właœciwośœci:

- pojemnośœć: 4Kbit; - organizacja: 8-bitowa; - dostęp szeregowy: interfejs 2-Wire/SPI; - częstotliwośœć zegara interfejsu: 1/20MHz; - okres niezmiennośœci danych umieszczonych w pamięci: min. 10 lat; - brak oczekiwania na operację typu zapis/odczyt (NoDelay™ Writes); - pobór prądu: a) w stanie aktywnym: max. 200µA; b) w trybie standby: max. 10µA; - kompatybilnośœć z pamięciami EEPROM; - napięcie zasilania:2.7÷3.6V - temperatura pracy: -40÷85°C; - dostępne w obudowie: SOP08.

Pamięć FRAM zbudowana jest z materiału ferroelektrycznego o nazwie PZT (związek ołowiu, cyrkonu i tytanu), którego cechuje możliwośœć zapamiętania jednego z dwóch kierunków pola elektrycznego. Do zapamiętania informacji wykorzystuje się efekt ferroelektryczny - pod wpływem działania pola elektrycznego następuje trwała zmiana polaryzacji cząstek. Nieobecnośœć pola elektrycznego nie powoduje zmiany polaryzacji. Komórkę pamięci można sobie wyobrazić jako kondensator z materiałem ferroelektrycznym jako dielektrykiem, ładowany na przemian napięciem o przeciwnej polaryzacji. Poprzez zmianę polaryzacji ładunków w takim kondensatorze można zapamiętać dwa stabilne stany odpowiadające stanom logicznym „0” i „1”.

Pamięci FRAM nazywane sš nieulotnymi pamięciami RAM. Łšczš w sobie zalety pamięci o dostępie swobodnym RAM oraz pamięci tylko czytanych ROM. Charakteryzujš się możliwoœciš szybkiego odczytu i zapisu, nieograniczonš iloœciš cykli zapis/kasowanie a jednoczeœnie nieulotnoœciš danych - wyłšczenie napięć zasilajšcych nie powoduje utraty zapamiętanej informacji; odœwieżanie informacji nie jest konieczne. Pamięci FRAM stosowane sš tam, gdzie wymagana jest duża szybkoœć pracy, niski pobór pršdu oraz bezpieczeństwo danych.