Pamięci DRAM (wyszukane: 30)
Produkt | Koszyk |
Producent
|
Architektura
|
Pamięć RAM
|
Zakres napięcia zasilania
|
Częstotliwość
|
Przetwornik A/D
|
Przetwornik D/A
|
Interfejs UART/USART
|
Interfejs SPI
|
Interfejs TWI (I2C)
|
Interfejs CAN
|
Interfejs ETHERNET
|
Interfejs USB
|
Interfejs CRYPT
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT41K512M8DA-107 XIT:P
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT41K512M8DA-107 XIT:P RoHS Obudowa dokładna: FBGA78(9x10.5) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
MICRON | 8-bit | 512MB | 1,23V~1,45V | 933MHz | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 95°C | FBGA78(9x10.5) | ||||||||||||
IS43TR16128BL-15HBLI
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 1066MHz; -40~95°C; Odpowiednik: IS43TR16128BL-15HBLI-TR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | 1066MHz | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 95°C | BGA96 | ||||||||||||
KM41256AP-15
1-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 25 Ilość (wielokrotność 1) |
SAMSUNG | 1-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | PDIP16 | |||||||||||||
KM424C257Z-6
4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C; ->KM424C257Z
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 11 Ilość (wielokrotność 1) |
SAMSUNG | 4-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | ZIP28 | |||||||||||||
Stan magazynowy:
26 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 13 Ilość (wielokrotność 1) |
SAMSUNG | 4-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | ZIP28 | |||||||||||||
MB81C4256A-60P
4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C; ->MB81C4256A-60P
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 20/60 Ilość (wielokrotność 1) |
Fujitsu | 4-bit | 256kB | 4.5~5.5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | PDIP28 | |||||||||||||
AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc.
16-bit Memory IC; 1Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 143MHz; 0~70°C; Odpowiednik: AS4C1M16S-7TCNTR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
Alliance Memory | 16-bit | 1MB | 3.0~3.6V | 143MHz | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | TSOP50-44 | ||||||||||||
GM71C16403CJ-5
4-bit Memory IC; 4Mb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1 Ilość (wielokrotność 1) |
Hynix | 4-bit | 4MB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | SOJ26-24 | |||||||||||||
GM71C16403CJ-6
4-bit Memory IC; 4Mb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1 Ilość (wielokrotność 1) |
Hynix | 4-bit | 4MB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | SOJ26-24 | |||||||||||||
IS42S16800F-7TL ISSI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA IS42S16800F-7TL-TR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 3V~3,6V | 143MHz | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | TFBGA54(8x8) | ||||||||||||
IS42S32800J-6TL ISSI
32-bit Memory IC; 8Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 166MHz; 0~70°C; Odpowiednik: IS42S32800J-6TLI#; IS42S32800J-6TLI-TR; IS42S32800J-6TL-TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32800J-6TL RoHS Obudowa dokładna: TFBGA96(9x13) |
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 32-bit | 8MB | 3.0~3.6V | 166MHz | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | TFBGA96(9x13) | ||||||||||||
IS43TR16128B-125KBL
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 1066MHz; 0~95°C; Odpowiednik: IS43TR16128B-125KBL-TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 160 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | 1066MHz | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 95°C | TFBGA96(9x13) | ||||||||||||
IS45S32400F-7TLA1
32-bit Memory IC; 4Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 143MHz; -40~85°C; Odpowiednik: IS45S32400F-7TLA1-TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
43 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 43 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 32-bit | 4MB | 3.0~3.6V | 143MHz | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 85°C | TFBGA84 | ||||||||||||
NT5CC128M16IP-DI
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 800MHz; -40~95°C; OBSOLETE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Nanya | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | 800MHz | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 95°C | BGA96 | ||||||||||||
UT51C164JC-35
16-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
UTC Symbol Producenta: UT51C164JC-35 Obudowa dokładna: SOJ40 |
Stan magazynowy:
357 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 17 Ilość (wielokrotność 1) |
Utron | 16-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | SOJ40 | |||||||||||||
MT41K512M8DA-107 AAT:P
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V Automotive 78-Pin FBGA
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT41K512M8DA-107 AAT:P Obudowa dokładna: FBGA78(9x10.5) |
Magazyn zewnętrzny:
239 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1440 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MT41K512M8DA-107 IT:P
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA MT41K512M8DA-107 IT:P TR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT41K512M8DA-107 IT:P Obudowa dokładna: FBGA78(9x10.5) |
Magazyn zewnętrzny:
76805 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1440 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT41K512M8DA-107 IT:P TR Obudowa dokładna: FBGA78(9x10.5) |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT41K512M8DA-107 IT:P Obudowa dokładna: FBGA78(9x10.5) |
Magazyn zewnętrzny:
2998 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1440 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MT41K512M8DA-107:P
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT41K512M8DA-107:P Obudowa dokładna: FBGA78(9x10.5) |
Magazyn zewnętrzny:
1642 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1440 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS42S16100H-7BL Integrated Silicon Solution
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA IS42S16100H-7BL-TR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S16100H-7BL-TR Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS42S16100H-7BLI Integrated Silicon Solution
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA IS42S16100H-7BLI-TR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S16100H-7BLI Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
422 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 286 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS42S16100H-7TL ISSI
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA IS42S16100H-7TL-TR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S16100H-7TL Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
585 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 117 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S16100H-7TL-TR Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS42S16100H-7TLI ISSI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II IS42S16100H-7TLI-TR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S16100H-7TLI Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
399 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 117 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S16100H-7TLI Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
753 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 117 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS42S32400F-6BLI ISSI
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 16Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II IS42S32400F-6BLI-TR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32400F-6BLI Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS42S32400F-6TL ISSI
DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA IS42S32400F-6TL-TR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32400F-6TL Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
595 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 108 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32400F-6TL Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 108 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32400F-6TL Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
1467 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 108 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS42S32400F-6TLI ISSI
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA IS42S32400F-6TLI-TR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32400F-6TLI Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
216 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 108 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS42S32800J-7TLI ISSI
SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 86-TSOP II
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32800J-7TLI Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
707 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 108 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32800J-7TLI Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
308 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 108 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS43DR16640B-25DBLI ISSI
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V Automotive 60-Pin TFBGA
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS43DR16640B-25DBLI Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 209 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS43DR16640B-25DBLI-TR Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS43DR16640B-25DBLI Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 209 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS43TR16128C-15HBL ISSI
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS43TR16128C-15HBL Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 190 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IS43TR16128CL-125KBLI ISSI
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS43TR16128CL-125KBLI Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
14635 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 190 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
4116/ 200
1x16kb 200ns
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||||||||||||||
IS42S16320D-7TLI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA Odpowiednik: IS42S16320D-7TLI-TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Pamięci DRAM
Pamięć DRAM (z ang. Dynamic Random Access Memory) to ważna składowa nowoczesnych układów elektronicznych. Dzięki unikalnej zdolności do szybkiego przechowywania i odczytu danych, kości pamięci DRAM stanowią serce wielu urządzeń, od serwerów obsługujących ogromne bazy danych, po kompaktowe urządzenia mobilne, gdzie liczy się każdy ułamek sekundy. Wybierając pamięć DRAM od pewnego, renomowanego producenta, inwestujesz w rozwiązanie gwarantujące niezawodność i wydajność doskonale dopasowaną do Twoich potrzeb.
Czym jest i do czego służy pamięć DRAM?
Pamięć DRAM, czyli Dynamiczna Pamięć o Swobodnym Dostępie, jest jednym z najważniejszych typów pamięci stosowanych w komputerach, serwerach oraz innych zaawansowanych urządzeniach elektronicznych. Jej główną funkcją jest tymczasowe przechowywanie danych, które właśnie dzięki niej mogą być szybko zapisywane i odczytywane. Użycie pamięci DRAM znacząco przyspiesza działanie wielu systemów, umożliwiając jednoczesne, a mimo to płynne wykonywanie rozmaitych zadań.
Jak działają kości pamięci DRAM?
Pamięć DRAM działa na zasadzie przechowywania danych w kondensatorach, które dla prawidłowego funkcjonowania i utrzymania zapisanych w nich danych, muszą być regularnie odświeżane. To właśnie z uwagi na ten proces odświeżania danych, pamięć DRAM nazywamy pamięcią „dynamiczną”. Ważną zaletą kości DRAM jest to, iż charakteryzują się dużą gęstością zapisu, umożliwiając przechowywanie większej ilości danych na mniejszej powierzchni. Ta ich zdolność przekłada się z kolei na efektywność i wydajność całych układów, w których pamięć DRAM jest stosowana.
Czym należy się kierować przy wyborze pamięci DRAM?
Wybierając kości pamięci DRAM, powinieneś zwrócić uwagę przede wszystkim na takie aspekty jej funkcjonowania, jak:
- pojemność pamięci – ta zawsze musi być dostosowana do potrzeb tej aplikacji, w której dana kość będzie używana;
- przepustowość – im wyższa przepustowość, tym szybsze przetwarzanie danych. Wartość ta jest kluczowa zwłaszcza w aplikacjach wymagających dużej wydajności;
- napięcie zasilania – wybór pamięci o odpowiednim napięciu potrafi znacząco wpłynąć na efektywność energetyczną całego układu;
- kompatybilność – upewnij się, że wybrana przez Ciebie pamięć DRAM jest kompatybilna z pozostałymi komponentami Twojego systemu.
Oferowane przez naszą hurtownię kości pamięci DRAM spełniają najwyższe standardy jakości, zapewniając Ci niezawodność i wydajność nawet w najbardziej wymagających aplikacjach. Sprawdź naszą ofertę i znajdź pamięć DRAM idealnie dopasowaną do Twoich potrzeb.