Nowość- tranzystory MOSFET

2022-02-28

Wzbogaciliśmy naszą ofertę o nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET o niskiej rezystancji kanału i napięciu przebicia 30 V.

Są to tranzystory uniwersalne, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w szybkich układach przełączających. Zawierają wbudowaną diodę zabezpieczającą bramkę przed wyładowaniami ESD.

SYMBOL OPIS

XP231P02013R-G

Tranzystor P-MOSFET; 30V; 8V; 8Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;

XP232N03013R-G

Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;

 

Powrót na listę aktualności