DB3 LGE

Symbol Micros: DDB3 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DO35amm
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
bidirectional; Itrm=2A; Vbo=32V; Vo=5V; DB3-LGE
Parametry
Obudowa: DO35amm
Producent: LGE
Prąd przewodzenia: 2A
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 125°C
Typ tyrystora: Diak
Producent: LGE Symbol producenta: DB3 RoHS Obudowa dokładna: DO35amm karta katalogowa
Stan magazynowy:
12994 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,3310 0,1270 0,0728 0,0530 0,0473
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000/30000
Obudowa: DO35amm
Producent: LGE
Prąd przewodzenia: 2A
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 125°C
Typ tyrystora: Diak

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta