BAS32L dioda impulsowa
Symbol Micros:
DIBAS32l smd lge
Obudowa: SOD80 (MINIMELF)
0,2A; 75V; ultra szybka
Parametry
| Obudowa: | SOD80 (MINIMELF) |
| Prąd przewodzenia: | 200mA |
| Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: | 75V |
| Montaż: | SMD |
| Typ: | Dioda przełączająca |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-08-30
Ilość szt.: 30000
| Obudowa: | SOD80 (MINIMELF) |
| Prąd przewodzenia: | 200mA |
| Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: | 75V |
| Montaż: | SMD |
| Typ: | Dioda przełączająca |
Odpowiedniki
BAS32L dioda impulsowa
0,2A; 75V; ultra szybka <4ns; pakowanie: taśma/krążek BAS32L,115 BAS32L,135
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BAS32L,115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOD80 (MINIMELF)
Stan magazynowy
48780 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 2500+ | 10000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3130 | 0,1200 | 0,0587 | 0,0471 | 0,0447 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)