4N25SM
Symbol Micros:
OO4N25 smd
Obudowa: PDIP06smd
pojedynczy CTR 20% Vce 30V Uiso 7,5kV Transistor with Base 4N25SM; 4N25SR2M; 4N25SM FAIRCHILD;
Parametry
CTR: | 20% |
Obudowa: | DIP06smd |
Typ wyjścia: | Transistor with Base |
Napięcie izolacji: | 7500V |
Napięcie wyjściowe: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 4N25SR2M RoHS
Obudowa dokładna: PDIP06smd
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,3900 | 1,5200 | 1,2000 | 1,0900 | 1,0400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 4N25SR2M
Obudowa dokładna: PDIP06smd
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 4N25SR2M
Obudowa dokładna: PDIP06smd
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 4N25SM
Obudowa dokładna: PDIP06smd
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0400 |
CTR: | 20% |
Obudowa: | DIP06smd |
Typ wyjścia: | Transistor with Base |
Napięcie izolacji: | 7500V |
Napięcie wyjściowe: | 30V |
Opis szczegółowy
Producent: Fairchild Semiconductor
Typ elementu półprzewodnikowego: transoptor
Montaż: SMD
Liczba kanałów: 1
Rodzaj wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 7.5kV
Transkonduktancja prądowa przy prądzie przewodzenia: 20%@10mA
Napięcie kolektor-emiter: 30V
Obudowa: Gull wing 6
Czas załączania/wyłączania: 2µs