4N35-500E AVAGO

Symbol Micros: OO4N35-500e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP06smd
pojedynczy CTR 100% Vce 30V Uiso 3,55kV Transistor with Base
Parametry
CTR: 100%
Obudowa: DIP06smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 3,55kV
Napięcie wyjściowe: 30V
Producent: BROADCOM Symbol producenta: 4N35-500E Obudowa dokładna: PDIP06smd  
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8207
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: 100%
Obudowa: DIP06smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 3,55kV
Napięcie wyjściowe: 30V