4N35M ONS(FAI)
Symbol Micros:
OO4N35m
Obudowa: PDIP06
Transoptor; THT; Kanały: 1; Wyj: tranzystorowe; Uizol: 7,5kV; DIP6 4N35M-ONS;
Parametry
CTR: | 100,00% |
Obudowa: | PDIP06 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 4170V |
Napięcie wyjściowe: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 4N35M
Obudowa dokładna: PDIP06
Magazyn zewnetrzny:
139850 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,5768 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 4N35M
Obudowa dokładna: PDIP06
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6356 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: 4N35M
Obudowa dokładna: PDIP06
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. | 700+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6365 |
CTR: | 100,00% |
Obudowa: | PDIP06 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 4170V |
Napięcie wyjściowe: | 30V |