4N35M ONS(FAI)

Symbol Micros: OO4N35m
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP06
Transoptor; THT; Kanały: 1; Wyj: tranzystorowe; Uizol: 7,5kV; DIP6 4N35M-ONS;
Parametry
CTR: 100,00%
Obudowa: PDIP06
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 4170V
Napięcie wyjściowe: 30V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 4N35M Obudowa dokładna: PDIP06  
Magazyn zewnętrzny:
5400 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5877
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: 100,00%
Obudowa: PDIP06
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 4170V
Napięcie wyjściowe: 30V