6N136-300E

Symbol Micros: OO6N136-300e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP08smd
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 19-50% Vce 20V Uiso 3,75kV Transistor with Base 6N136-500E; 6N136300; 6N136-300E;
Parametry
CTR: 19-50%
Obudowa: DIP08smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 20V
Producent: AVAGO Symbol producenta: 6N136-500E RoHS Obudowa dokładna: PDIP08smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 6,0000 4,2000 3,5600 3,2500 3,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Producent: BROADCOM Symbol producenta: 6N136-300E Obudowa dokładna: PDIP08smd  
Magazyn zewnetrzny:
750 szt.
ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: BROADCOM Symbol producenta: 6N136-500E Obudowa dokładna: PDIP08smd  
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: 19-50%
Obudowa: DIP08smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 20V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta