6N136-300E
Symbol Micros:
OO6N136-300e
Obudowa: PDIP08smd
pojedynczy CTR 19-50% Vce 20V Uiso 3,75kV Transistor with Base 6N136-500E; 6N136300; 6N136-300E;
Parametry
CTR: | 19-50% |
Obudowa: | DIP08smd |
Typ wyjścia: | Transistor with Base |
Napięcie izolacji: | 3750V |
Napięcie wyjściowe: | 20V |
Producent: AVAGO
Symbol producenta: 6N136-500E RoHS
Obudowa dokładna: PDIP08smd
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,0000 | 4,2000 | 3,5600 | 3,2500 | 3,1600 |
Producent: BROADCOM
Symbol producenta: 6N136-500E
Obudowa dokładna: PDIP08smd
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,1600 |
Producent: BROADCOM
Symbol producenta: 6N136-300E
Obudowa dokładna: PDIP08smd
Magazyn zewnetrzny:
1850 szt.
ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,1600 |
CTR: | 19-50% |
Obudowa: | DIP08smd |
Typ wyjścia: | Transistor with Base |
Napięcie izolacji: | 3750V |
Napięcie wyjściowe: | 20V |