6N136-560E SMD8

Symbol Micros: OO6N136-560e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP08smd
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 19-50% Vce 20V Uiso 3,75kV Transistor with Base
Parametry
CTR: 19-50%
Obudowa: DIP08smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 20V
Producent: BROADCOM Symbol producenta: 6N136-560E Obudowa dokładna: PDIP08smd  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4620
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: 19-50%
Obudowa: DIP08smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 20V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta