H11F1M

Symbol Micros: OOH11F1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP06
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR N/A% Vce 30V Uiso 5,3kV NPN Phototransistor
Parametry
CTR: N/A%
Obudowa: PDIP06
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5300V
Napięcie wyjściowe: 30V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: H11F1M RoHS Obudowa dokładna: PDIP06  
Stan magazynowy:
41 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 15,6200 12,5000 10,8400 10,6300 10,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: H11F1M Obudowa dokładna: PDIP06  
Magazyn zewnętrzny:
1670 szt.
ilość szt. 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 10,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: N/A%
Obudowa: PDIP06
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5300V
Napięcie wyjściowe: 30V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta