PC357N1T

Symbol Micros: OOPC357n1t
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC04
pojedynczy CTR 80-160% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor PC357N1TJ00F; PC357N1J000F; PC357N1J000F-XYZ;
Parametry
CTR: 80-160%
Obudowa: SOIC04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: Sharp Symbol producenta: PC357N1J000F RoHS Obudowa dokładna: SOIC04t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3680 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6900 0,9310 0,7320 0,6780 0,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Sharp Symbol producenta: PC357N1J000F Obudowa dokładna: SOIC04  
Magazyn zewnetrzny:
43116 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: 80-160%
Obudowa: SOIC04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V