PC357N1T
Symbol Micros:
OOPC357n1t
Obudowa: SOIC04
pojedynczy CTR 80-160% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor PC357N1TJ00F; PC357N1J000F; PC357N1J000F-XYZ;
Parametry
| CTR: | 80-160% |
| Obudowa: | SOIC04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |
Producent: Sharp
Symbol producenta: PC357N1J000F RoHS
Obudowa dokładna: SOIC04t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4180 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6100 | 0,8850 | 0,6960 | 0,6450 | 0,6180 |
Producent: Sharp
Symbol producenta: PC357N1J000F
Obudowa dokładna: SOIC04
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6180 |
| CTR: | 80-160% |
| Obudowa: | SOIC04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |