PC357N3J000F

Symbol Micros: OOPC357n3j
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP04
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor PC357N3J0000F
Parametry
CTR: 200%~400%
Obudowa: SOP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: Sharp Symbol producenta: PC357N3J000F RoHS Obudowa dokładna: SOP04 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
220 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4800 0,9730 0,6970 0,6090 0,5710
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
CTR: 200%~400%
Obudowa: SOP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta