LTV-357T-C
Symbol Micros:
OOPC357tltv
Obudowa:
pojedynczy CTR 50-600%; Vce 35V; Uiso 3,75kV; NPN Phototransistor; Odpowiednik: PC357T; LTV-357T-C; LTV357T-C; LTV357T-SMD; LTV-357T; LTV-357T-C-IN; LTV357T-C;
Parametry
| CTR: | 50-600% |
| Obudowa: | SO 4 t/r |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 35V |
| CTR: | 50-600% |
| Obudowa: | SO 4 t/r |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 35V |
Opis szczegółowy
Producent: LITEON
Typ elementu półprzewodnikowego: transoptor
Montaż: SMD
Liczba kanałów: 1
Rodzaj wyjścia: tranzystorowe
Napięcie izolacji: 3.75kV
CTR@If: 50-600%@5mA
Napięcie kolektor-emiter: 35V
Temperatura pracy: -55°C ~ 100°C
Obudowa: SO 4
Odpowiedniki
PC357N3T
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor PC357N3TJ00F ->EOL! ; PC357N3J000F
Producent:
Sharp
Symbol producenta:
PC357N3J000F RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC04t/r
Stan magazynowy
298 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,3200 | 0,7280 | 0,5720 | 0,5300 | 0,5080 |
Sposób pakowania: 958
Ilość (wielokrotność 1)
EL357N(C)(TA) 4SMD
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor EL357N-G EL357N(C)(TA)-G EL357NC-G EL357N(C)-G EL357NC-TA-G EL357N(C)(TA)-G EL357NC-TB-G EL357N(C)(TB)-G ; EL357NC-TA-VG; EL357N(C)(TA)-VG;
Producent:
EVERLIGHT
Symbol producenta:
EL357N(C)(TA)-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC04t/r
Stan magazynowy
7311 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0500 | 0,5810 | 0,3860 | 0,3220 | 0,3000 |
Sposób pakowania: 3000/9000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
EVERSPIN
Symbol producenta:
EL357N(C)(TA)-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC04
Stan magazynowy
2250 szt.
| Ilość szt. | 25+ |
| cena netto (PLN) | 0,4129 |
Sposób pakowania: 25
Ilość (wielokrotność 1)
CYPC357(C-TP)
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-357T-C, EL357N(C)(TA)-G, PC357N3J000F
Producent:
OCIC
Symbol producenta:
CYPC357(C-TP) RoHS
Obudowa dokładna:
SOP04 t/r
Stan magazynowy
153 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9450 | 0,5170 | 0,3390 | 0,2930 | 0,2700 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
EL357C UMW
pojedynczy CTR 200-400% Vce 35V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Odpowiednik: LTV-357T-C; EL357N(C)(TA)-G; PC357N3J000F;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
EL357C RoHS
Obudowa dokładna:
SOP04 t/r
Stan magazynowy
1000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5410 | 0,3220 | 0,2670 | 0,2400 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
DY357C OTOMO
pojedynczy CTR 200-400% Vce 35V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-357T-C, EL357N(C)(TA)-G, PC357N3J000F
Producent:
OTOMO
Symbol producenta:
DY357C RoHS
Obudowa dokładna:
SOP04 t/r
Stan magazynowy
450 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 450+ | 1800+ |
| cena netto (PLN) | 1,0700 | 0,5920 | 0,3910 | 0,3280 | 0,3070 |
Sposób pakowania: 450
Ilość (wielokrotność 1)