FOD814A3S
Symbol Micros:
OOPC814a3s FAI
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 50-150% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD814A3SD
Parametry
| CTR: | 50-150% |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 70V |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FOD814A3SD RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7400 | 1,7300 | 1,3700 | 1,2500 | 1,1900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD814A3SD
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1900 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FOD814A3SD
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD814A3SD
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1900 |
| CTR: | 50-150% |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 70V |