LTV-814S-TA1
Symbol Micros:
OOPC814ltvs
Obudowa:
pojedynczy CTR 20-300% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor odpowiednik: PC814S, FOD814AS LTV-814S LTV-814S-TA1 LTV-814S-TA1-A; LTV814S-TA1; LTV814S;
Parametry
CTR: | 20-300% |
Obudowa: | PDIP04smd |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 35V |
Producent: LITE-ON
Symbol producenta: LTV814S-TA1 RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
karta katalogowa
Stan magazynowy:
21528 szt.
ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,2800 | 0,6200 | 0,4230 | 0,3750 | 0,3660 |
Producent: LITE-ON
Symbol producenta: LTV-814S
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnętrzny:
25300 szt.
ilość szt. | 100+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3936 |
Producent: LITE-ON
Symbol producenta: LTV-814S-TA1
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnętrzny:
5400 szt.
ilość szt. | 100+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3936 |
Producent: LITE-ON
Symbol producenta: LTV-814S-TA1
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnętrzny:
68532 szt.
ilość szt. | 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4027 |
CTR: | 20-300% |
Obudowa: | PDIP04smd |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 35V |